Hiểu nguyên lý.
Khám phá thế giới.

Đầu sợi và màng phản xạ tạo khe quang để đọc dịch chuyển.

Ăng-ten nối bộ chuyển đổi áp điện và các vùng phản xạ dọc đường SAW.

Một tuyến khảo sát SAW với các đường qua kính và vùng ngón tay chạm.

Mặt cắt lớp áp điện giữa hai điện cực trong mô hình BAW theo chiều dày.

Lớp cộng hưởng và gương âm gồm các lớp trở kháng khác nhau.

Nhiệt độ được đo và đưa qua đường bù tới phần điều chỉnh của bộ dao động TCXO.

Ba khâu của một DDS tạo sin: tích lũy pha, đổi pha thành giá trị mẫu, DAC và lọc.

Vùng thạch anh trong vỏ cách nhiệt, bộ nung và đường hồi tiếp nhiệt của OCXO.

Lược điện xen kẽ còn khe hở; lực dọc làm tăng vùng chồng lấp khi phần phải dịch sang trái.

Các nhóm điện cực nhiều pha dưới bề mặt và một chuỗi vị trí hạt gợi vận chuyển bụi.

Đầu vòi, mặt mực nhọn và tia tới nền trong một chế độ in EHD.

Hai trạng thái gương MEMS nhận cùng hướng tia tới; các hướng phản xạ được tính theo góc mặt gương.

Tiết diện giữa của hai mặt dạng cubic bổ sung trong mô hình Alvarez, dịch ngang tương đối.

Hai trường quang đi ngược trong sợi của cấu hình BOTDA và một vùng tương tác được chọn.

Cách tử có bước tăng dần, với hai tuyến gợi hai vùng phản xạ và quãng đường hồi khác nhau.

Mặt cắt mô hình sợi phản cộng hưởng với các ống thành mỏng quanh lõi khí.

Mạng bốn kênh với các vùng ghép và dịch pha minh họa một khâu biến đổi tuyến tính quang.

Hai photodiode đọc hai đầu quang và đưa dòng tới phép lấy hiệu.

Trường tín hiệu và laser tham chiếu được ghép trên bộ chia để cùng tới một photodiode.

Dây nano siêu dẫn uốn lượn và vùng trở thoáng qua tại một đoạn sau hấp thụ photon.

Một mép thay vị trí và mô hình các pixel tăng–giảm sáng tạo sự kiện.

Hai thời điểm lấy mẫu trên đường điện áp mô hình: mức sau reset và mức có tín hiệu.

So vị trí lớp dây và vùng nhạy trong hai mặt cắt giản lược, với ánh sáng đi từ trên xuống.

Nguồn có nhịp điều chế, đường tới–hồi và bốn phép gom theo pha tham chiếu.

Một sợi vào được chuẩn trực tới gương điều khiển và các tuyến ra khả dĩ.